全球市场研究机构TrendForce发布的预测数据显示，2026年第一季度传统DRAM合约价格将环比上涨55-60%，NAND闪存价格也将上涨33-38%。全球智能手机出货量在2026年已被下调，PC市场的复苏也依然疲软。在消费电子并未出现强劲需求的背景下，内存价格却在以前所未有的速度飙升，原因是什么？有同学可能已经猜到：推动这轮涨价的推手不是手机厂商，而是AI数据中心。更准确地说，是为AI服务器生产的高带宽内存（HBM）占了太多内存生产资源。这轮涨价的核心机制并非需求端的全面爆发，而是供给端的结构性压缩。这里的关键变量是HBM对产能的挤出效应。行业内的共识是，制造每GB HBM消耗的晶圆产能，大约是制造传统DDR5内存的3倍。这不仅仅是占用面积的问题，HBM需要通过TSV（硅通孔）技术进行多层垂直堆叠，并占用极其稀缺的先进封装产线。这些复杂工序的时间成本远高于传统内存。面对英伟达、谷歌、微软等AI巨头的高利润订单，三星、SK海力士和美光，纷纷将先进制程和新增产能优先分配给服务器DRAM和HBM。结果显而易见：由于通用DRAM供给被主动压缩，供需不匹配造成价格上涨。目前，美光已宣布停止向PC和DIY个人消费者市场直接销售部分内存产品，明确将资源集中供给AI相关需求。这不是个案，整个行业都在经历同样的资源再分配。根据TrendForce的数据，自2025年底以来，美国云服务提供商（CSP）持续提前下单锁定产能，导致供应商库存接近耗尽。这意味着，在晶圆总产出受物理限制的前提下，通用DRAM的供应瓶颈短期内无法解决。野村证券给出的判断是，这轮“超级周期”至少会持续到2027年，“有意义的新增供给”最早要到2028年才可能出现。这并非拍脑袋，而是基于供给端物理约束得出的结论。只要三星、SK海力士继续把晶圆产能和先进封装资源优先分配给HBM和服务器DRAM，通用DRAM就很难出现供给放量。TrendForce明确指出，直到2026年第一季度，原厂的先进制程与新增产能依然在向服务器与HBM倾斜。如果北美四大CSP（云服务商）仍在接受“锁价锁量”的长期合约，本质上就是在为更贵的未来做预算。目前数据显示，CSP的提前锁单行为从2025年底持续至今，尚无放缓迹象。扩产不是一句话能完成的。从订购高端光刻机和蚀刻设备，到设备到货、安装调试、洁净室准备以及良率爬坡，整个周期往往长达9-12个月甚至更久。这决定了即使原厂现在决定大规模扩产，2026年年内也很难看到产出的显著增加。值得注意的是，虽然理论上价格上涨会刺激供给，但在HBM和通用存储盈利能力都在提升的情况下，原厂更倾向于维持这种“紧平衡”状态，从而延长高利润周期。利润集中在存储原厂，小米、Oppo、Vivo手机厂商毛利率承压这轮周期的核心特征是缺货涨价，因此利润将高度集中在掌握定价权的环节——存储原厂。三星电子预计2025年第四季度营业利润将达到创纪录水平，主要驱动力正是内存芯片价格飙升。TrendForce的数据甚至显示，内存价格的飙升可能将三星和SK海力士的毛利率推高至超过台积电的水平。而在过去的产业周期中，代工巨头的利润率通常是高于内存厂商的，供需的极度紧张正在改写这一规律。相比之下，下游的模组厂和整机厂商正面临严峻的成本压力。对于小米、Oppo、Vivo这类中低端设备占比较高的厂商，内存成本占物料成本的比例正从之前的10-15%上升至超过20%。分析师估计，内存价格上涨40%可能导致智能手机厂商的毛利率下降2-3个百分点。受此影响，部分厂商已经开始削减2026年的出货预测，幅度在15%到20%之间。一是AI泡沫被证实，云厂商削减资本开支，所有基于“供不应求”的涨价逻辑将瞬间崩塌。二是供给端扩产速度超预期。如果良率爬坡或先进封装产能释放明显快于预期，周期顶部会比市场预想来得更早。只要AI军备竞赛不停，HBM对晶圆和封装产能的挤占就不会停，存储芯片的通胀也就不会停。
